ウェハバンピング

長年培ってきた電鋳技術を用いた当社のメタルマスクを使用することで、半導体ウェハへはんだボール（Φ100µm以下）を搭載し、高精度なはんだバンプを形成することが可能です。はんだボールを使用するため、ボイドのないバンプ形成が可能であり、高いコプラナリティを実現します。

• 対応ウェハ：6、8インチ（Si、SiC、サファイア、ガラス、化合物半導体）
• 搭載可能ボール径：50µm以下搭載実績あり
• 対応枚数：1枚からの試作および量産に対応
• 搭載方式：振込法（はんだボール搭載用マスクを用いて、所定位置にボールを振り込む方式）
• UBM（アンダーバリアメタル）加工：電解めっき/無電解めっき　共に対応可能
• 絶縁層加工：有機保護膜（PBO）を用いた絶縁層加工も対応可能
• 後工程：協力会社にてバックグラインド、レーザーマーク、ダイシング、テープ詰めなども対応可能

ウェハバンピングサービスのイメージ

• 印刷用マスクおよびはんだボール搭載用マスクのみのご提供もいたします。
• 電解UBM・無電解UBMの加工も可能です。
• ウェハ上へのスパッタ加工のみも請け負います。

• 詳細については、お気軽にお問い合わせください。