半導体製造工程用テープ

半導体製造プロセスを多様な製品でサポート

近年の各種電子機器の小型化、半導体チップの需要拡大により、各種プロセス技術のニーズはますます大きくなりつつあります。また、技術革新によってもたらされたウェハの極薄化にともなって、バックグラインド、ダイシングプロセスへの対応力が問われています。マクセルは、半導体製造工程におけるバックグラインドやダイシングといった各種プロセスに適したソリューションを提供します。

半導体とは

名前のとおり、金属など電気をよく通す導体と、ゴムなどの電気を通しにくい絶縁体との中間の物質で、ある条件（電圧、電流、光、熱など）で、電気を通したり通さなかったりする物質です。

代表的なものでは、ケイ素（Si：シリコン）やゲルマニウム（Ge）、化合物ではヒ化ガリウム（GaAs）などがあります。

現在はこういった物質・材料を用いたIC（集積回路）なども含めて慣用的に半導体と呼ばれています。

半導体の製造工程

半導体の製造工程は大きく、以下の3つに分けられます。

1. 設計工程：回路・パターン設計、フォトマスク作成
2. 前工程：実際にウェハに回路を作り込む
3. 後工程：前工程で作成したウェハをデバイスとして組立て加工

マクセルでは、主に3.で行われるバックグラインド^∗1、ウェハダイシング^∗2、パッケージダイシング^∗3用などの半導体製造工程用テープを製造・販売しております。

• ウェハの表面（回路形成面）を保護しながら、裏面を薄く研削する工程です
• 薄くなったウェハをチップ状に個片化する工程で、サイコロ（Dice）のように四角く切り出すことから、ダイシング（Dicing）と呼びます
• 基板に接続固定されたチップを一括樹脂封止（パッケージング）した後、パッケージを個片化する工程です

【A】 ウェハダイシング

• テープ剥離時に粘着剤残りの少ないUV剥離型粘着剤を使用しています
• 特殊なUV剥離型粘着剤の採用により「初期固定力」があり、テープ剥離時にはUV照射により「粘着力」が弱くなり、容易に剥離することができます
• 基材フィルムには特殊なポリオレフィン（PO）樹脂を使用しており、等方性の伸びを有します
• RoHS指令で規制された10物質は、いずれの物質も規制値未満となります

【B】 パッケージダイシング

• テープ剥離時に粘着剤残りの少ないUV剥離型粘着剤を使用しています
• 特殊なUV剥離型粘着剤の採用により「初期固定力」があり、テープ剥離時にはUV照射により「粘着力」が弱くなり、容易に剥離することができます
• 基材フィルムには特殊なポリオレフィン（PO）樹脂を使用しており、等方性の伸びを有します
• RoHS指令で規制された10物質は、いずれの物質も規制値未満となります

【C】 バックグラインド

• ウェハ表面のバンプのような凹凸への追従性が高く、バックグラインド後のディンプルの発生やウェハ損傷を防ぎます
• ウェハの反り防止に、PET基材を使用しております
• 100µm以上（∼300µm程度）のバンプ高さにもご検討いただけます
• UV剥離型と感圧型の2種類ラインナップしております

粘着力の記載について

粘着力の試験は、JIS Z 0237(2022)に準拠して行っています。

また、従来との比較のためにスリオン法による試験数値は括弧内に併記しています。

JIS法、スリオン法の詳しい試験方法については、下記リンクをご参照ください。

https://biz.maxell.com/ja/sliontec_tapes/measuring_method.html

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